1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低； ◆开关速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通态压降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆关速度快，关损耗小 ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
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常州市市长陈金虎一行调研宏微科技 2021年1月4日上午，常州市委副书记、市长陈金虎调研了新北区重点… 2021-01-04 了解更多
常州市政协主席白云萍一行莅临宏微… 11月24日下午，常州市政协主席白云萍一行莅临我司调研引导，考察… 2020-11-30 了解更多
常州市委书记齐家滨一行调研宏微科… 4月19日上午，常州市委书记齐家滨一行莅临江苏宏微科技股份有限公… 2020-04-20 了解更多
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