1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
常州市市长陈金虎一行调研宏微科技 2021年1月4日上午,常州市委副书记、市长陈金虎调研了新北区重点… 2021-01-04 了解更多
常州市政协主席白云萍一行莅临宏微… 11月24日下午,常州市政协主席白云萍一行莅临我司调研引导,考察… 2020-11-30 了解更多
常州市委书记齐家滨一行调研宏微科… 4月19日上午,常州市委书记齐家滨一行莅临江苏宏微科技股份有限公… 2020-04-20 了解更多